T/NXCL 015-2022 硅部件用柱状多晶硅.pdf
文档页数：6文档大小：286.9KB文档格式：pdfICS29.045 CCS H 82 TNXCL 宁夏材料研究学会团体标准 T/NXCL015—2022 硅部件用柱状多晶硅 Columnar polysilicon for silicon parts 2022-12-2发布 2022-12-2实施 宁夏材料研究学会发布 T/NXCL015—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 本文件由宁夏材料研究学会提出. 本文件由宁夏材料研究学会归口. 本文件起草单位：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司、北方民 族大学、宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、宁夏职业技术学院. 本文件主要起草人：李长苏、顾燕滨、盛旺、丁亚国、武文元、李玲玲、熊欢、吴彦飞、杨文平、 刘建斌、杨少林、范占军、马江、杜朋轩、姜永庆、谢君彦. I T/NXCL015—2022 硅部件用柱状多晶硅 1范围 本文件规定了硅部件用柱状多晶硅的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、 运输、贮存和订货单（或合同）内容等方面的内容. 本文件柱状多晶硅锭适用于刻蚀机中的硅部件产品. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本 文件. GB/T1250极限数值的表示方法和判定方法 GB/T1551硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法 GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T8170数值修约规则与极限数值的表示和判定 GB/T14264半导体材料术语 GB/T33236多晶硅痕量元素化学分析辉光放电质谱法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语及定义适用于本文件. 3.1 柱状多晶硅columnar polysilicon 铸锭时硅溶体中温度梯度具有一定的方向性，长晶时晶粒沿着温度梯度方向生长，最终形成具有柱 状晶粒结构的多晶硅锭. 3.2 等轴晶粒结构equiaxial grain structure 存在于柱状多晶硅锭一定范围内与柱状晶粒结构显著不同的晶粒，它是一组非常小的颗粒，几乎呈 球形，而不是柱状结构. 3.3 夹杂物inclusions 可能出现在柱状多晶硅中的氮化硅、碳化硅等杂质.如图1所示，这些夹杂物在粗糙度约0.1μm以 下的抛光表面上可见.这些夹杂物的长度通常为3um~150um 形状是圆形或细长的. 图1显示的“斑点”即为柱状多晶硅上的夹杂物 ...
本文来自短发情长投稿，不代表文丁图集立场，如若转载，请注明出处：https://www.2b34.com/blog/99661.html
微信扫一扫 
