SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法.pdf
文档页数：6文档大小：2.33MB文档格式：pdfICS29.045 H83 备案号：50561-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11504—2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 Test method for measuring surface quality of polished monocrystalline silicon carbide 2015-04-30发布 2015-10-01实施 18 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11504—2015 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、工业和信息化部电子工业标准化研究院. 本标准主要起草人：丁丽、周智慧葡焖、 郝建民、何零坤、冯亚彬、裴会川. AND INDUSTRY SJ STANDARDS I SJ/T11504—2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 1范围 本标准规定了碳化硅单晶抛光片（以下简称“抛光片”）表面质量的目视检验方法. 本标准适用于单面或者双面抛光的碳化硅单晶抛光片表面质量的检测. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件. 凡是不注日期的引用标准，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T14264半导体材料术语 GB/T25915.1一2010洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4方法原理 抛光片表面质量缺陷在一定光照条件下可产生光的漫反射，且可被目测观察到.据此可直接（或采 用5倍~10倍放大镜)目视检测抛光片的表面缺陷. 5测试设备 5.1高强度汇聚光源：钨丝灯，离光源100mm处汇聚光斑直径(20~40)mm 照度不小于16000x. 5.2大面积漫射光源：可调节光强度的荧光灯或乳白灯，使检测面上的光强度为(430~650)cd. 5.3净化台：洁净度应优于GB/T25915.1一2010规定的ISO5级要求. 5.4真空吸笔：不可引入任何缺陷. 5.5放大镜：放大倍数为(5~10)倍. 5.6长度测量工具：分度值不大于1mm的钢板尺. 6环境条件 6.1环境温度：(18~28)℃. 6.2环境湿度应不大于75%. 6.3洁净室：洁净度应优于GB25915.1一2010规定的ISO6级要求. 1 ...
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